近日，国家科学技术部公布了最近一批国家重点研发计划重点专项的立项名单，我校物理科学与信息工程学院李恒帅教授主持的《二维半导体材料的器件设计和物理机制》获批立项，这是聊城大学作为主持单位获批的第一项国家重点研发计划。

　　人类使用的最基本电子器件经历了两个阶段，第一个阶段是真空管（也叫电子管），主要用于早期的收音机、电视机和第一台电子计算机。第二个阶段是硅基晶体管，它体积小、功耗低、可靠性高，彻底取代了真空管，推动了集成电路、个人电脑、互联网、物联网和人工智能的飞速发展。我们今天使用的电脑、手机、家电等，其核心芯片都是建立在硅基晶体管之上的。但是，随着芯片性能不断提升，硅基晶体管的尺寸已经缩小到了5纳米、3纳米的量级（相当于几十个原子的大小）。在极小的尺度下，“量子隧穿效应”的现象变得越来越明显。电子会“穿透”本应关断的晶体管，导致漏电和发热增加、逻辑混乱，严重降低芯片的性能和能效。这意味着硅基晶体管正在接近其物理极限，继续靠缩小尺寸来提升性能的路子已经走不通了。因此，人类被迫再次进行一次“跨越”——寻找硅基之外的晶体管技术。在众多候选方案中，二维半导体场效应晶体管被认为是最有前途的发展方向之一。

　　在本项目中，李恒帅教授团队计划采用结合DFT和NEGF的原子级器件模型，探索二维半导体作为场效应晶体管（FET）的最佳设计及其性能极限，分析其物理机制。课题组将使用行业标准（如ITRS和IRDS）来评估模拟器件的性能，提供关于超短通道二维FET量子传输特性的物理机制，以及高性能二维FET的工程设计指导方案。

　　在本项目的通知下达、组织申报、修改完善、评审立项过程中，科学技术处进行了“全过程跟踪”服务，通过全流程精细化服务和有组织科研协同攻坚，全力推动科研总量攀升与质量跃升。在学校党委行政的正确领导下，科学技术处深入学习“三提三争”精神，紧扣“提标、提速、提能力，争先、争优、争一流”的实干导向，将作风要求贯穿科研管理全过程，聚力推动学校科研工作提质增效、进位突破。

（审核 冀芦沙）